@MASTERSTHESIS{ 2020:1372629381,
 	title = {Estudo da viabilidade técnica da mobilidade do semicondutor 6H-SiC para aplicação na indústria de semicondutores},
 	year = {2020},
 	url = "http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4502",
 	abstract = "Neste trabalho estudamos a mobilidade do semicondutor 6H-SiC, o qual é de grande interesse tecnológico atual. O 6H-SiC possui várias utilidades comerciais. Inúmeras aplicações tem sido propostas com base nas suas propriedades optoeletrônicas, como: eletrônicos de alta temperatura, microestruturas, dispositivos optoeletrônicos, dispositivos de alta potência e alta frequência, eletrônicos rígidos de radiação, detectores de ultravioleta, células solares, diodos emissores de luz, etc. Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga no semicondutor 6H-SiC. A caracterização e o conhecimento destas propriedades são de extrema importância para a fabricação de componentes eletrônicos pela indústria de semicondutores. Para o estudo aqui realizado foi utilizada uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor 6H-SiC dopado tipo n levando-se em consideração variações da temperatura ambiente e do campo elétrico aplicado no semicondutor. O principal resultado obtido é que a mobilidade eletrônica é maior quando o campo elétrico é aplicado na direção perpendicular ao eixo c da rede cristalina do semicondutor 6H-SiC. Foi obtido também que a mobilidade diminui com o aumento da temperatura de forma bem definida. Esta redução na mobilidade com a temperatura fornece a possibilidade de construção de um termômetro baseado nesta relação entre a mobilidade eletrônica e a temperatura",
 	publisher = {Pontifícia Universidade Católica de Goiás},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas},
 	note = {Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção}
}