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http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603| Tipo do documento: | Dissertação |
| Título: | Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores |
| Autor: | Vale, Agamenon Lima do  |
| Primeiro orientador: | Rodrigues, Clóves Gonçalves |
| Primeiro membro da banca: | Calixto, Wesley Pacheco |
| Segundo membro da banca: | Menezes, José Elmo de |
| Resumo: | Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB. |
| Abstract: | In this work the drift velocity, the displacement and the mobility of the charge carriers in a n-type doped semiconductor were theoretically deduced. For this, we use a semi-classical equation based on Newton’s second law. The application was carried out in the Zinc Sulfide semiconductor (ZnS) in the wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) phases, doped type n and submitted to low intensity electric fields. The dependence of the transport properties as a function of the electric field strength and the temperature was analyzed. The main result obtained is that the mobility in the WZ phase is greater than in the ZB phase. |
| Palavras-chave: | Semicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade. |
| Área(s) do CNPq: | ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAO |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Instituição: | Pontifícia Universidade Católica de Goiás |
| Sigla da instituição: | PUC Goiás |
| Departamento: | Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção |
| Programa: | Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas |
| Citação: | Vale, Agamenon Lima do. Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores. 2016. 66 f. Dissertação (Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Goiânia - GO. |
| Tipo de acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603 |
| Data de defesa: | 15-Dez-2016 |
| Aparece nas coleções: | Mestrado em Engenharia de Produção e Sistemas |
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| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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