1. TEDE
  2. Campus Goiânia
  3. Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
  4. Mestrado em Engenharia de Produção e Sistemas
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dc.creatorVale, Agamenon Lima do-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/1494060011144294eng
dc.contributor.advisor1Rodrigues, Clóves Gonçalves-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7962325017303457eng
dc.contributor.referee1Calixto, Wesley Pacheco-
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/9073478192027867eng
dc.contributor.referee2Menezes, José Elmo de-
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/9654702573176547eng
dc.date.accessioned2017-02-23T18:09:50Z-
dc.date.issued2016-12-15-
dc.identifier.citationVale, Agamenon Lima do. Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores. 2016. 66 f. Dissertação (Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Goiânia - GO.eng
dc.identifier.urihttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603-
dc.description.resumoNeste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.eng
dc.description.abstractIn this work the drift velocity, the displacement and the mobility of the charge carriers in a n-type doped semiconductor were theoretically deduced. For this, we use a semi-classical equation based on Newton’s second law. The application was carried out in the Zinc Sulfide semiconductor (ZnS) in the wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) phases, doped type n and submitted to low intensity electric fields. The dependence of the transport properties as a function of the electric field strength and the temperature was analyzed. The main result obtained is that the mobility in the WZ phase is greater than in the ZB phase.eng
dc.description.provenanceSubmitted by admin tede ([email protected]) on 2017-02-23T18:09:50Z No. of bitstreams: 1 Agamenon Lima do Vale.pdf: 10345014 bytes, checksum: a68a1e0b591671701cfc82d3023384fc (MD5)eng
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2017-02-23T18:09:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Agamenon Lima do Vale.pdf: 10345014 bytes, checksum: a68a1e0b591671701cfc82d3023384fc (MD5) Previous issue date: 2016-12-15eng
dc.formatapplication/pdf*
dc.thumbnail.urlhttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/retrieve/10812/Agamenon%20Lima%20do%20Vale.pdf.jpg*
dc.languageporeng
dc.publisherPontifícia Universidade Católica de Goiáseng
dc.publisher.departmentEscola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produçãoeng
dc.publisher.countryBrasileng
dc.publisher.initialsPUC Goiáseng
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemaseng
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSemicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade.por
dc.subject.cnpqENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAOeng
dc.titleCaracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutoreseng
dc.typeDissertaçãoeng
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