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Tipo do documento: Dissertação
Título: Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
Título(s) alternativo(s): Study of the effect of doping type on silicon carbide for application in the semiconductor industry
Autor: Vasconcelos, Jackelinne Lares 
Primeiro orientador: Rodrigues, Clóves Gonçalves
Primeiro membro da banca: Calixto, Wesley Pacheco
Segundo membro da banca: Menezes, José Elmo de
Resumo: Neste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristal
Abstract: In this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystal
Palavras-chave: Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
Área(s) do CNPq: Engenharias: Engenharia de Produção
Idioma: por
País: Brasil
Instituição: Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Sigla da instituição: PUC Goiás
Departamento: Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
Programa: Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Citação: Vasconcelos, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de Silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020
Tipo de acesso: Acesso Aberto
URI: http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473
Data de defesa: 24-Mar-2020
Appears in Collections:Mestrado em Engenharia de Produção e Sistemas

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