1. TEDE
  2. Campus Goiânia
  3. Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
  4. Mestrado em Engenharia de Produção e Sistemas
Exportar este item: EndNote BibTex

Use este identificador para citar ou linkar para este item: http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.creatorVasconcelos, Jackelinne Lares-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/2573834572271460eng
dc.contributor.advisor1Rodrigues, Clóves Gonçalves-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7962325017303457eng
dc.contributor.referee1Calixto, Wesley Pacheco-
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/9073478192027867eng
dc.contributor.referee2Menezes, José Elmo de-
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/9654702573176547eng
dc.date.accessioned2020-09-29T19:36:31Z-
dc.date.issued2020-03-24-
dc.identifier.citationVasconcelos, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de Silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020por
dc.identifier.urihttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473-
dc.description.resumoNeste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristaleng
dc.description.abstractIn this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystaleng
dc.description.provenanceSubmitted by admin tede ([email protected]) on 2020-09-29T19:36:31Z No. of bitstreams: 1 Jackelinne Lares Vasconcelos.pdf: 1683466 bytes, checksum: 1f66cd9f5093f884725a972779db52fb (MD5)eng
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2020-09-29T19:36:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jackelinne Lares Vasconcelos.pdf: 1683466 bytes, checksum: 1f66cd9f5093f884725a972779db52fb (MD5) Previous issue date: 2020-03-24eng
dc.formatapplication/pdf*
dc.thumbnail.urlhttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/retrieve/14252/Jackelinne%20Lares%20Vasconcelos.pdf.jpg*
dc.thumbnail.urlhttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/retrieve/14538/Jackelinne%20Lares%20Vasconcelos.pdf.jpg*
dc.languageporeng
dc.publisherPontifícia Universidade Católica de Goiáseng
dc.publisher.departmentEscola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produçãoeng
dc.publisher.countryBrasileng
dc.publisher.initialsPUC Goiáseng
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemaseng
dc.rightsAcesso Aberto-
dc.subjectSemicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidadepor
dc.subjectSemiconductors; silicon carbide; SiC; mobilityeng
dc.subject.cnpqEngenharias: Engenharia de Produçãoeng
dc.titleEstudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutoreseng
dc.title.alternativeStudy of the effect of doping type on silicon carbide for application in the semiconductor industryeng
dc.typeDissertaçãoeng
Aparece nas coleções:Mestrado em Engenharia de Produção e Sistemas

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Jackelinne Lares Vasconcelos.pdf1,66 MBAdobe PDFThumbnail

Baixar/Abrir Pré-Visualizar
Mostrar registro simples do item Recomendar este item Visualizar estatísticas


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.