@MASTERSTHESIS{ 2016:1401873577,
 	title = {Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores},
 	year = {2016},
 	url = "http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603",
 	abstract = "Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade
 dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma
 equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor
 Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a
 campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em
 função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado
 obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.",
 	publisher = {Pontifícia Universidade Católica de Goiás},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas},
 	note = {Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção}
}