@MASTERSTHESIS{ 2020:111323518, title = {Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores}, year = {2020}, url = "http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473", abstract = "Neste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristal", publisher = {Pontifícia Universidade Católica de Goiás}, scholl = {Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas}, note = {Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção} }